2012年12月8日,“高通量组合材料制备与表征平台技术”专题研讨会在中国工程院召开。会议由中国工程院化工、冶金与材料工程学部主办，学部副主任屠海令院士主持了会议，学部主任曹湘洪院士在开幕式上致辞。来自海内外的9位专家做专题报告，徐匡迪名誉主席出席会议并发表重要讲话，曹湘洪、王崇愚、陈立泉、吴以成、江东亮、杨学明等10位院士和70余位专家学者参加了会议。

    曹湘洪院士在致辞中提到，近些年来，国外高通量材料制备与表征平台技术快速发展，高通量制备和表征开发取得了越来越多的成果。举办本次专题研讨会的主要目的是通过交流，使大家更深刻的理解组合材料芯片技术，推动我国材料开发技术的创新，了解组合材料芯片技术的最新进展，了解高通量材料制备和表征平台最新技术，及可能拓展的性能领域。主要目标是通过技术交流，启发思路，加快我国材料开发的力度，推动我国传统材料产业的结构调整、转型升级，推动我国新材料产业快速发展。

    会议为期一天，与会的院士专家针对“材料基因组计划”，特别是高通量组合材料制备与表征平台技术发展历史与现状、应用领域和成功案例进行了深入的研讨。项晓东博士、茆胜博士、赵继成博士等专家从组合材料芯片技术综述和组合材料芯片技术应用及微区表征技术两个方向，做了9场报告，报告结束后院士专家进行了深入的研讨。

    徐匡迪名誉主席在会议总结时指出，新材料技术是体现一个国家高科技发展水平、尤其是国防科技水平的关键标志之一，具有重要的战略意义。我国在新材料研究领域的起步较晚，整体水平与先进国家相比仍有很大差距。目前国内组合材料芯片技术的发展和应用受到实验室条件的限制，还存在基础设施上的技术瓶颈需要克服。他认为目前急需建立以第三代同步辐射光源与组合材料芯片有机结合的原位表征为特征的大科学平台，通过发挥国家级大科学设施的作用，推动我们国家材料科学的发展。他要求，有关专家充分利用本次会议的研讨成果，形成上报有关部门的建议。

    (宋玮玮 左家和)